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APG130N06NF use advanced SGT MOSFET technology to provide low RDS(ON), low gate charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed to get better ruggedness and suitable to use in
器件类目 |
产品型号 |
封装描述 |
环境温度 |
是否在产 |
应 用 | 丝 印 |
N沟道 | APG130N06NF |
PDFN5*6-8L |
-55 to 150 ℃ |
是 |
电源管理、同步整流隔离直流电
|
APG130N06NF |
原装现货,技术选型
云仓现货,快速配送
品类齐全,性能优良
工厂直销,样品申请