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The NCE20NP1006S uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON) and low gate charge . Thecomplementary MOSFETs may be used to form a level shiftedhigh side switch, and for a host of other applications.
器件类目 |
产品型号 |
封装描述 |
环境温度 |
是否在产 |
应 用 | 丝 印 |
N沟道 | NCE20NP1006S |
SOP8 |
-55 to 150℃ |
是 |
动力管理
|
20NP1006S |
原装现货,技术选型
云仓现货,快速配送
品类齐全,性能优良
工厂直销,样品申请