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NTJD5121NT1G封装SOT-363双N沟道MOS场效应管ON安森美

MOSFET – Power, Dual, N-Channel With ESD Protection, SC-88 60 V, 295 mA

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产品介绍

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MOSFET – Power, Dual, N-Channel With ESD Protection, SC-88 60 V, 295 mA

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器件类目

产品型号

封装描述

环境温度

是否在产

应用

丝印

双N沟道

NTJD5121NT1G

SOT-363

−55~150℃

是

低侧负载开关、直流转换器(降压和增压电路)

示意图

Sketch Map

resource/images/b664d468e46448fe9d44a70346b8491a_2.jpg

产品特性

Product characteristics

Low RDS(on)
Low Gate Threshold

ESD Protected Gate
Low Input Capacitance

应用范围

Scope of application

: UPS电源

: 手机充电器

: 电源适配器

: 多端口墙壁充电器

公司优势

Company advantage

: 正

原装现货，技术选型

: 快

云仓现货，快速配送

: 全

品类齐全，性能优良

: 省

工厂直销，样品申请

技术团队

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